[경기] 2026년 반도체 소부장기업 실증(장비사용료) 지원사업 참여기업 모집 공고

[20260226163232635_hipa17_1. 공고문.pdf] - 1 - [화성산업진흥원 공고 제2026-42호] 2026년 반도체 소부장기업 실증 (장비사용료) 지원사업 참여기업 모집 공고 화성산업진흥원에서는 반도체 장비 확보가 어려운 관내 반도체 소·부·장 중소·중견기업을 대상으로 한국나노기술원 연계 반도체 실증(장비사용료) 지원사업을 시행하오니 관내 기업의 많은 관심과 지원 바랍니다. 2026. 2. 26. (재)화성산업진흥원장  사업개요 ❏ 사 업 명: 2026년 반도체 소부장기업 실증(장비사용료) 지원 ❏ 사업목적: 관내 반도체 소부장기업 인프라 지원을 통한 제품화 촉진 ❏ 사업기간: 선정 공고일~2026. 10. 31.(토), 6개월 내외 ❏ 지원대상: 화성시 관내 반도체 소·부·장 * 중소·중견기업 ※본사, 공장, 연구소 중 1개 이상 화성시 소재 필수 * 반도체 소재·부품·장비 분야란 웨이퍼 제조에서부터 노광, 식각, 증착, 세정, 패키징 등 전·후공정에 필요한 소재·부품·장비(「소재·부품·장비 산업 경쟁력 강화 및 공급망 안정화를 위한 특별조치법 시행령」제2조의 소재·부품·장비산업 대상 업종 분야의 제조기업) ❏ 지원내용: 반도체 장비 확보가 어려운 관내 소부장기업에 성능평가, 검증 등에 소요되는 장비 사용료 지원 ※한국나노기술원 장비 활용 必 ❏ 지원규모: 20개사, 기업당 최대 9,000천원 - 상위 구간 적용으로 인해 산정 지원금이 직전 구간의 최대 지원금액보다 낮아질 경우, 직전 구간의 최대 지원금액을 보장함(부가가치세 제외) 구분 지원율 최대 지원금액 지원규모 비고 100만원 이하 100% 1,000,000원 7개사 상위 구간 적용 시, 직전 구간의 최대 지원금액을 하회하지 않도록 함 100만원 초과~ 200만원 이하 90% 1,800,000원 5개사 200만원 초과~ 500만원 이하 80% 4,000,000원 5개사 500만원 초과 70% 9,000,000원 3개사 합계 20개사 - 2 - 구분 지원율 총 사용금액 (공급가액) 시 지원금액 기업 부담액 100만원 이하 100% 830,000원 830,000원 - 100만원 초과~ 200만원 이하 90% 1,100,000원 1,000,000원 100,000원 1,500,000원 1,350,000원 150,000원 200만원 초과~ 500만원 이하 80% 2,170,000원 1,800,000원 370,000원 4,500,000원 3,600,000원 900,000원 500만원 초과 70% 5,100,000원 4,000,000원 1,100,000원 6,000,000원 4,200,000원 1,800,000원 13,000,000원 9,000,000원 4,000,000원 <금액대별 지원율 적용 예시> ❏ 지원금 사용기간: 사업 공고일~2026. 10. 31.(토), 8개월 내외 ❏ 추진일정 참여기업 모집·선정 (진흥원) 성능평가 및 검증 (기술원-기업) 지원금 지급 (진흥원) 결과보고 (기업→진흥원) 성과공유회 (진흥원-기술원 -기업) 2026. 2.~4. 2026. 4.~10. (1차) 2026. 8. (2차) 2026. 12. 2026. 11. 2026. 11. ※실증기간에 따라 지원금 지급 시기는 선택 가능함 ※향후 진흥원에서 추진하는 성과공유회 및 기술세미나에 필히 참여해야 함 (구체적인 일정은 추후 안내 예정이며, 신청서식 내 동의 확인 必 )  모집개요 ❏ 모집대상: 화성시 관내 반도체 소·부·장 중소·중견기업 ※본사, 공장, 연구소 중 1개 이상 화성시 소재 필수 ❏ 모집기간: 2026. 2. 26.(목)~3. 26.(목) 18:00까지 ❏ 신청방법: 화성시 기업지원플랫폼을 통한 온라인 접수 ❏ 신청 제외 대상 m 신청서 등 제출서류 허위기재가 발견된 경우 m 화성산업진흥원에서 시행하는 동일 지원내용의 사업에 참여하여 동일 과제에 대한 기 수혜한 이력이 있거나 이미 지원을 받고 있는 기업 m 사업기간 내 타 지역으로 이전하는 기업 m 정부 및 지역 지원사업 참여 제재 중인 기업 m 국세 또는 지방세 체납 중인 경우 m 금융기관 등으로부터 채무불이행으로 규제 중인 경우 - 3 - m 휴·폐업 혹은 파산·개인회생절차의 개시 신청이 이루어진 경우 m 숙박 및 음식점업, 부동산업 및 임대업, 오락업 및 문화업, 공공, 수리 및 기타서비스업 신청 불가 m 근로기준법에 따라 고용노동부가 공개하는 체불사업주 명단에 포함된 경우 m 최근 1년 이내 공정거래위원회로부터 물가안정 및 공정거래에 관한 법률에 따른 불공정거래행위 위반자로 통보받은 경우 m 보조금 관리에 관한 법률에 따라 수행 대상에서 배제된 경우 m 기타 화성산업진흥원장이 참여를 제한할 정당한 사유가 있다고 인정하는 경우 ❏ 지원 제한 대상 m 중복수혜 제한: 2026년 반도체 소부장기업 실증(시제품 제작) 지원사업 ❏ 제출서류 구분 목 록 비고 지정 양식 작성 후 제출 2026년 반도체 소부장기업 실증(장비사용료) 지원사업 신청서 2026년 반도체 소부장기업 실증(장비사용료) 지원사업 사업 계획서 신청기업 개인정보 수집, 이용, 제공 동의서 2026년 반 도 체 소 부장 기 업 실 증 (장비사용료) 지 원사 업 청렴 서 약서 필수 제출서류 중소 또는 중견기업 확인서 ※공고 게시일 이후 유효한 경우 소재·부품·장비 전문기업확인서 ※공고 마감일 기준 유효한 경우 사업자등록증 또는 사업자등록증명원 / (법인) 법인등기부등본 ※최근 3개월 이내 발급분, 법인의 경우 법인등기부등본 제출 필수 (단, 개인사업자가 법인으로 전환한 경우 최초의 사업자등록증과 법인 등기부등본을 모두 제출하여야 함) 화성시 소재 증빙서류 택1 공장등록증 ※공고 게시일 이후 관내 공장등록이 되어 있는 경우 기업부설연구소 또는 연구개발전담부서 인정서 ※공고 게시일 이후 유효한 경우 국세·지방세 완납 증명서 ※공고 게시일 이후 발급분 제출 필수 - 4 -  선정 및 평가 ❏ 선정 방식 및 기준 m (선정방식) 서류평가를 통한 최종 선정 m (평가기준) 적격여부를 포함한 장비 활용 필요성 및 적합성, 계획의 구체성, 사업 수행 역량 및 준비도, 예산 산정의 적정성을 종합적으로 고려하여 평가 - (선정기준) 심사위원 평균점수 70점 이상인 기업 중 고득점순으로 선정하며, 동점일 경우 상위항목의 고득점순 * 으로 결정함 * 장비 활용 필요성 및 적합성 > 계획의 구체성 > 사업 수행 역량 및 준비도 > 예산 산정의 적정성 - 서류 평가표 항목 평가지표 배점 적격/부적격 ∙ 소재지, 과제 중복성 등 여부 판단 - 장비 활용 필요성 및 적합성 ∙ 실증 목표의 구체성 및 장비 사용 목적의 명확성 30 ∙ 실증 수행을 위한 사전 준비 수준 ∙ 활용 예정 장비의 타당성 계획의 구체성 ∙ 장비 사용 계획의 구체성(일정, 횟수, 공정 등) 30 ∙ 실증 범위의 적정성 ∙ 실증 결과 활용의 명확성 사업 수행 역량 및 준비도 ∙ 실증 수행을 위한 인력, 체계 등 확보 여부 15 ∙ 사업기간 내 실증 완료 가능성 ∙ 장비 활용 또는 유사 실증 수행 경험 예산 산정의 적정성 ∙ 장비 사용료 산정 근거의 명확성 및 예산 규모의 적정성 25 합 계 100 ❏ 서류평가 m (평가방식) 외부 평가위원회의 사업계획서 등 평가를 통해 최종 선정 m (평가일정) 접수 마감 이후 1주 내외 소요 m (합격기준) 평가위원 평균점수 70점 이상인 기업 중 고득점순 m (결과공고) 화성시 기업지원플랫폼 알림마당-공고 게시판에 공고 - 5 -  유의사항 ❏ 제출한 일체 서류 및 물품은 평가를 위해 사용되며 반환하지 않음 ❏ 참여기업은 동 공고문 및 지침(기준), 기타 진흥원의 안내자료를 준수하여야 하며, 이를 미숙지하여 발생하는 불이익 및 그에 따른 책임은 동 사업을 신청한 참여기업에 있음 ❏ 타인의 아이디어, 기술 등을 모방하여 선정되었을 경우 발생되는 모든 민·형사상의 책임은 참가자 본인에게 있음 ❏ 선정결과 통보 또는 협약 이후 일방적 참가 취소 시 향후 유사 사업에 참여제한 등의 불이익이 있을 수 있음 ❏ 참여기업은 향후 성과보고서, 결과물, 설문조사, 실적 제출 등의 요청에 협조하여야 하며, 이에 협조하지 않는 경우 차후 화성산업진흥원이 지원하는 사업에 참가 제한이 있을 수 있음  문의처 ❏ (재)화성산업진흥원 공급망지원팀( * se20@hsbiz.or.kr, ☎ 031-278-4388) (재)화성산업진흥원장 --- [20260226163232637_hipa17_2. 한국나노기술원 실증 장비지원 목록.pdf] (단위: 원) 직접사용 기술원 의뢰 FL-EL10 E-beam lithography I (9300) 500,000/hr + 60,000/wf Pattern Exposure * 파일변환, 잡파일 작성, 전자빔 보정작업, 로딩/언로딩 등 기본 준비시간 포함 FL-NI10 Nano Imprint 250,000/hr 300,000/hr + 60,000/wf Pattern Imprinting * 재료비 별도 FL-ST10 KrF Stepper 370,000/기본료 + 60,000/wf Pattern Exposure * 8 inch wafer * 기술원 Standard Reticle 사용 시 장비 이용료 추가(200,000원/Lot) FL-ST20 l-line Stepper 50,000/wf 300,000/기본료 + 60,000/wf Pattern Exposure * 6" Flat type wafer * 2", 3", 4", 8" 별도 협의 * 기술원 Standard Reticle 사용 시 장비 이용료 추가(200,000원/Lot) FL-CA10 Automated Mask Aligner I 140,000/기본료 + 60,000/wf Pattern Exposure * 4 ~ 6" wafer * Align작업시 10,000/wf 추가 FL-CA40 Automated Mask Aligner II 140,000/기본료 + 50,000/wf Pattern Exposure * 2 ~ 3" wafer * Align작업시 10,000/wf 추가 FL-CA20 Contact Aligner I (Manual) 75,000/30min 120,000/기본료 + 50,000/wf Pattern Exposure * 조각시편 및 2 ~ 6" wafer * Align작업시 10,000/wf 추가 FL-CA60 Automated Mask Aligner III (8 inch) 170,000/기본료 + 60,000/wf Pattern Exposure * 8" wafer * Align작업시 10,000/wf 추가 FL-CA70 Automated Mask Aligner IV (8 inch) 170,000/기본료 + 60,000/wf Pattern Exposure *Align 작업시 10,000/wf 추가 170,000/기본료 + 60,000/wf 1st Photo (No Align) 170,000/기본료 + 70,000/wf Top-side & Back-side Alignment FL-SC20 Spin Coater ll 30,000/wf 50,000/wf Resist Coating FL-TR10 Track I (2-3 inch) 40,000/wf 70,000/기본료+23,000/wf I-line용 Resist Coating&Development FL-TR20 Track II (4-6 inch) 40,000/wf 70,000/기본료+23,000/wf I-line용 Resist Coating&Development FL-TR30 Track III (4-6 inch) 40,000/wf 70,000/기본료+23,000/wf I-line용 Resist Coating&Development FL-TR40 Track IV (4-6 inch) 40,000/wf 70,000/기본료+35,000/wf I-line용 Thick PR Coating&Development FL-TR50 Track V (8inch) 50,000/wf 90,000/기본료+40,000/wf KrF용 Resist Coating & Development * KrF PR 재료비 별도 * BARC Coating시 재료비 별도 FL-TR60 Track VI (8inch) 50,000/wf 80,000/기본료+35,000/wf l-line용 Resist Coating & Development * 특수 PR 재료비 별도 FL-TR70 Track VII(4-6inch) 40,000/wf 70,000/기본료+35,000/wf l-line용 Resist Coating & Development FL-DE10 Spray Developer 50,000/wf 90,000/기본료+40,000/wf Spray Develop * 재료비 별도 FL-CM10 CD-SEM I (9260) 300,000/hr CD 측정 * 8" Flat type wafer (6" 이하 별도 협의) FL-CM20 CD-SEM II (8820) 300,000/hr CD 측정 * 6" Notch type wafer FL-MK10 Mask Cleaner 120,000/mask Mask Cleaning * 재료비 별도 FL-PD10 Pattern Design Tool 120,000/hr Pattern Design FL-WS10 Organic Wet-station(Litho) 70,000/Lot 60,000/기본료 + 90,000/Lot Organic Cleaning, PR Strip * 케미컬 재료비 별도 * 1 시간 기준 FL-WB10 Develop Wet-Bench(Litho) 30,000/30min 60,000/기본료+50,000/wf LOR 제거, Develop FL-WB20 Organic Wet-Bench(Litho) 30,000/30min 60,000/기본료+50,000/wf PR Strip FL-FR10 Box Furnace 120,000/hr polymer, polyimide, PR Curing * 600℃ 이하 가능 FL-LM10 Laminating Machine 40,000/wf 60,000/wf DFC, FILM Coating * 조각~8inch wafer * DFR, FILM 등 재료비 별도 FL-OV10 Convection oven I 30,000/hr 40,000/hr polymer, polyimide, PR Curing * 200℃ 이하 가능 FL-OV20 Convection oven II 30,000/hr 40,000/hr polymer, polyimide, PR Curing * 200℃ 이하 가능 FR-EB10 E-beam evaporator (R&D) I 170,000/회 Ni, Au, Ti, Cr, Pt, Al, Ag, Pd, Si, Ge, Mo, etc. FR-EB30 E-beam evaporator (R&D) III 220,000/회 MgF2, SiO2, TiO2, Al2O3, ITO, ZnS, TiN, Ti, Cr, etc. FR-PE10 HDP-CVD (R&D) 80,000/wf 100,000/기본료 + 80,000/wf SiO Depo. * 1um 이하 기준 * 2" 이하는 Wafer jig 기준임. FR-IE10 ICP etcher I(R&D) 120,000/hr 100,000/기본료 + 70,000/wf Metal etch FR-IE20 ICP etcher II(R&D) 150,000/hr 100,000/기본료 + 90,000/wf III-V compound etch FR-IE30 ICP etcher III(R&D) 120,000/hr 100,000/기본료 + 70,000/wf SiO, SiN etch FR-IE40 ICP etcher IV(R&D)_DRIE 200,000/hr 100,000/기본료 + 140,000/wf Si/a-Si, Poly Si etch Si etch * Etch depth 50um 이하 기준 * Etch depth 50um 초과시 10,000원/10um 재료비 추가 * 조각샘플의 경우 오염 및 파손에 대한 미보증 조건으로 진행 가능하며, 웨이퍼 1매에 최대 10개까지 부착 가능 (단, 샘플크기에 따라 웨이퍼 1매에 부착 가능한 최대 수량은 적어질 수 있음) * Passivation(CFx) 공정의 경우 50% 할인수가 적용 FR-LO10 Laser Lift-off 100,000/기본료 + 80,000/wf GaN Lift-off * Shot수 30회/장 미만 기준(추가30회당 장당 기준 적용) * Wafer당 30분 진행 기준 적용 ※ Gas 공급 문제 해결후 서비스 진행 FR-RT10 RTA (R&D) 60,000/기본료 + 50,000/wf Non-metal/Metal RTP * 로딩수량: 조각, 2인치 (3매), 4인치 (1매), 6인치 (1매) * 1매 기준: 600도 이하, 1분 열처리 * 650 - 900도 열처리 시 비용 추가 FR-PL20 Cu & Ni Plating Machine (R&D) 120,000/wf Cu, Ni Plating * 도금 두께 10um 기준, >10um 시 2,000원/1um * Wafer당 1시간 기준 FR-WS10 Acid Wet-station(R&D) 80,000/LOT 60,000/기본료 + 90,000/LOT Acid Cleaning, Etch FR-WS20 Alkali Wet-station(R&D) 80,000/LOT 60,000/기본료 + 90,000/LOT Alkali Cleaning, Etch FR-WS30 Organic Wet-station(R&D) 80,000/LOT 60,000/기본료 + 90,000/LOT Organic Cleaning, PR Strip FR-WS40 SPM Wet-station(R&D) 80,000/LOT 60,000/기본료 + 80,000/LOT SPM Cleaning FR-WB10 Acid Wet-Bench(R&D) 30,000/30min 60,000/기본료 + 60,000/wf Acid Cleaning, Etch FR-WB20 Alkali Wet-Bench(R&D) 30,000/30min 60,000/기본료 + 60,000/wf Alkali Cleaning, Etch FR-WB30 Organic Wet-Bench(R&D) 30,000/30min 60,000/기본료 + 60,000/wf Organic Cleaning, PR Strip, Lift-off FR-WB40 Lift-Off Wet-Bench(R&D) 30,000/30min 60,000/기본료 + 60,000/wf Lift-off FR-LM10 Wafer Laser Marker 25,000/wf Wafer Laser Marking * 2",4",6" Si, GaAs wafer만 가능 나노 리소 FL-CA80 Contact Aligner VIII * Etch depth 1um 이하 기준 * Etch depth 1um 초과시 50,000원/1um 재료비 추가 * 조각샘플의 경우 오염 및 파손에 대한 미보증 조건으로 진행 가능하며, 웨이퍼 1매에 최대 10개까지 부착 가능 (단, 샘플크기에 따라 웨이퍼 1매에 부착 가능한 최대 수량은 적어질 수 있음) * 2인치 (25매), 4인치 (7매), 6인치 (3매), 8인치 (1매) * 비정형 웨이퍼는 별도 문의 * 재료비 별도 (귀금속은 실비 정산) * PR, HMDS 포함 * 특수 PR 재료비 별도 * 특수재료 사용자 구매 * 재료비 별도 * 1회 1시간 기준 * 월단위 사용시 별도 협의 * 특수 케미칼 재료비 별도 * 월단위 사용 시 별도 협의 * 의뢰공정: 1시간 기준 나노 R&D - 한국나노기술원 팹서비스 이용료- * 2024년 2월 1일부터 다음 변경일까지 지원 라인 코드명 장비명 서비스이용료 공정 내용 비고 직접사용 기술원 의뢰 지원 라인 코드명 장비명 서비스이용료 공정 내용 비고 FR-FR10 Mini Furnace 300,000/회 annealing * 2", 4", 6", 8" wafer 25매 로딩 가능 (조각시편 별도 문의) * 1회 기준 - 600도 이하 : 열처리 유지 시간 1시간 이내 - 950도 이하 : 열처리 유지 시간 30분 이내 FR-FP10 4 point probe 75,000/hr 75,000/기본료 + 20,000/wf 면저항 측정 * 유기물 위의 박막 저항 분석 불가 FR-OT10 Optical Thickness Measure System 25,000/wf 100,000/기본료 + 25,000/wf 두께 측정 FR-SF10 Surface Scan/Profiler 15,000/wf 60,000/기본료 + 15,000/wf 깊이 측정 * Wafer당 5포인트 이하 기준 FR-LP10 3D Laser Profiler 90,000/hr 표면형상 측정 * Piece ~ 8" wafer 측정 가능 * Laser가 투과되는 물질의 경우 별도 문의 FR-SS10 Stress Measurement System 15,000/wf 60,000/기본료 + 15,000/wf 스트레스 측정 FR-FB10 Wafer bonder (R&D) 90,000/wf Wafer Bonder * Wafer당 1시간 기준 FR-MW10 Microwave plasma asher - 30,000/기본료+20,000/wf Descum, PR strip, Etching * Etch Depth 1um초과 별도 FF-EB10 E-beam evaporator (산업화) I 250,000/회 Pt, Au, Ti, Ni, Al, Cr, etc. * Planetary dome: 2"~12" wafer, Lift-off dome: 8" wafer only * 재료비 별도 (귀금속은 실비 정산) * 1회 기준: 1um 이하, 2시간 이내 * 기술원 미보유 Source에 대해서는 별도 협의 FF-EB20 E-beam evaporator (산업화) II 250,000/회 Pt, Au, Ti, Ni, Al, Cr, etc. * Satellite dome(Lift off 공자전): 2"~6" wafer * 재료비 별도 (귀금속은 실비 정산) * 1회 기준: 1um 이하, 2시간 이내 * 기술원 미보유 Source에 대해서는 별도 협의 FF-EB30 E-beam evaporator III 250,000/회 Metal evaporation * 재료비 별도(귀금속은 실비 정산) * 1회 기준: 1um 미만, 2시간 이내 FF-SP10 Sputter System (Cluster) 100,000/기본료 + 60,000/wf Ti/Ta, Cr, Au, Cu/Al, TiN * 재료비 별도 (귀금속은 실비 정산) * 기술원 미보유 Target에 대해서는 별도 협의 * 2" wafer: 3장, 4"~6" wafer: 1장 기준 (Jig 사용) * 1장 기준: 1um 이하, 2시간 이내 FF-SP20 Sputter System (Batch) 100,000/기본료 + 60,000/wf ITO * 재료비 별도 * 2" ~ 6" wafer 만 가능, 그 외 규격은 별도 협의 필요 * 1배치 기준: 1um 이하, 2시간 이내 * 고온공정비용 추가 100,000원 FF-PE20 PECVD (산업화) II 100,000/기본료 + 80,000/wf SiO Depo FF-PE30 PECVD (산업화) III_P5000 100,000/기본료 + 100,000/wf 절연막 증착 (SiO2, Si3N4, SiON 증착) FF-IE10 ICP etcher (산업화) I 80,000/기본료 + 50,000/wf SiC, GaAs etch FF-IE20 ICP etcher (산업화) II 80,000/기본료 + 50,000/wf SiO, SiN etch FF-IE30 ICP etcher (산업화) III 80,000/기본료 + 50,000/wf Metal etch FF-DE10 RIE (산업화) 80,000/기본료 + 50,000/wf Low Damage GaAs Etch * Metal 투입 불가 FF-DE20 RIE II (산업화)_P5000 120,000/기본료 + 80,000/wf Metal, Insulator dry etch * Etch depth 1um 이하 기준 * Etch depth 1um 초과시 50,000원/1um 재료비 추가 * 조각샘플의 경우 오염 및 파손에 대한 미보증 조건으로 진행 가능하며, 웨이퍼 1매에 최대 10개까지 부착 가능 (단, 샘플 크기에 따라 웨이퍼 1매에 부착 가능한 최대 수량은 적어질 수 있음) FF-WS10 Acid Wet-station(산업화) 60,000/LOT 60,000/기본료 + 70,000/LOT Acid Cleaning, Etch * 특수재료 사용자 구매 * 재료비 별도 FF-PL10 Au Plating Machine I(Pattern용) 60,000/기본료 + 90,000/wf FF-PL20 Au Plating Machine II (backside) 60,000/기본료 + 90,000/wf FF-LO10 Liftoff Machine 60,000/기본료 + 50,000/wf Liftoff * 재료비 별도 * 4", 6", 8" wafer 만 가능 FF-PC10 Wafer surface particle counter 60,000/hr 90,000/hr FM-IE20 Etcher (Unitiy Ⅱ-85SCCM) 90,000/기본료+70,000/wf Oxide/Nitride etch * 8" Si wafer (Flat type)만 가능 * Depth 1um 이내기준,1um 초과시 100,000원/um추가 FM-AS10 Asher(DAS2000) 60,000/기본료 + 25,000/wf PR Ashing/Descum * 2 ~ 8" wafer FM-SP10 Sputter(E5500) 100,000/기본료 + 60,000/wf Al, Ti, TiN * 재료비 별도 FB-DB10 Die-bonder (Back-end) 100,000/hr Chip, PCB Bonder * 재료비 별도 FB-RB10 Wire-bonder (Back-end) 100,000/hr Wire Bonder * 재료비 별도 FB-GR10 Horizontal Grinding M/C 70,000/wf Si, GaAs,GaN Grinding * 4"~6" wafer 1장 , 2" wafer 3장 로딩 * 재료비 별도 FB-LP10 Lapping and Polishing M/C 80,000/wf Si, GaAs,GaN Polishing * 4"~6" wafer 1장 , 2" wafer 3장 로딩 * 재료비 별도 70,000/wf (Si, Glass) Glass,Si Sawing 100,000/wf (Sapphire, SiC) Sapphire Sawing FB-DI30 Dicing Machine III 70,000/wf (Glass) Wafer sawing * 재료비 별도 FB-DI40 Dicing Machine IV 70,000/wf (Si, GaAs) Wafer sawing * 재료비 별도 FB-PR10 Prober 65,000/hr LED 측정 FB-TS10 Thermal Shock 30,000/기본료 + 5,000/hr 소자 신뢰성 측정 FB-TH10 Temperature and Humidity Tester 30,000/기본료 + 2,000/hr 200,000/hr Milling & View 400,000/시편 TEM sample prep. (Cross section) 500,000/시편 TEM sample prep. (Plan view) 200,000/hr Milling & View 400,000/시편 TEM sample prep. (Cross section) 500,000/시편 TEM sample prep. (Plan view) FC-SM10 FE SEM I 56,000/hr 80,000/hr 고해상도 이미지, EDS 분석 * Coating 비용(20,000/회) 별도 * EDS 분석시 30,000/시간 추가 FC-SM30 FE SEM III 56,000/hr 80,000/hr 고해상도 이미지 * Coating 비용(20,000/회) 별도 110,000/hr 이미지 측정 140,000/hr EDS분석 FC-SC10 Ion Coater 20,000/회 20,000/회 Pt, Cr, C coating FC-AM10 FC-AM20 AFM I, II (model: XE100, Park systems) AFM II [FC-AM10] 유휴처리(23년3차) -Topography 모드 : 40,000/hr -이외모드: 50,000/hr 공통사항: Cantilever 별도 비용) AFM II [FC-AM10] 유휴처리(23년3차) -Topography 모드 : 60,000/hr -이외모드: 70,000/hr (공통사항: Cantilever 별도 비용) 직접 사용자의 경우 tip은 본인부담 * 특수기능 중 SThM, I-AFM, SCM, KFM, Nanoindenter 사용 시, Cantilever 미 포함 FC-AM30 AFM III (model: XE150, 6인치 가능) -Topography 모드 : 60,000/hr -이외모드: 70,000/hr (공통사항: Cantilever 별도 비용) * 특수기능 중 SThM, I-AFM, SCM, KFM, Nanoindenter 사용 시, Cantilever 미 포함 40,000/hr 70,000/hr IR Spectroscopy 50,000/hr 90,000/hr Microscope IR Spectroscopy FC-PH10 Spectrophotometer 40,000/hr 70,000/hr MEMS 지원 Back End FB-DI20 Dicing Machine II FE-SEM IV FIB II (model: Quanta 3D FEG, FEI) * 1um이하 기준 산업화 지원 Au 기준 * 재료비 별도 * 1매 기준: 로딩/언로딩 포함 공정시간 1시간 이내 * Depth 1um 기준, 1um 이상 추가요금 - 50,000원/1um - CD 1um 이하 : 30,000원 * ICP Etcher I 재료비 부과 기준 - GaN : Depth 1um기준 (위 기준 동일) - InP, GaAs 등 : 담당자 별도 협의 요 FC-FI20 * 시편제작 사이즈에 따른 추가비용 발생(표준 5um) * 시편제작 사이즈에 따른 추가비용 발생(표준 5um) FTIR * Semi auto, pattern/non pattern 가능 * 담당연구원 비검증 샘플 공정 진행 시 추가 비용 * 재료비 별도 FC-SM40 FC-FI10 FIB I (model: Nova 600, FEI사) FC-FT10 직접사용 기술원 의뢰 지원 라인 코드명 장비명 서비스이용료 공정 내용 비고 70,000/hr (Level 1) (Raw data only) 100,000/hr (Level 1) (Raw data only) 100,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 130,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 120,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 150,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 150,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) 180,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) 100,000/hr (Level 1) (Raw data only) 140,000/hr (Level 1) (Raw data only) 130,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 170,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 150,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 190,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 180,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) 220,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) 140,000/hr (Level 1) (Raw data only) 190,000/hr (Level 1) (Raw data only) 170,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 220,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 200,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 240,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 230,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) 270,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) FC-TM10 Analytic STEM 250,000/hr TEM/STEM/EDS/EELS FC-TM20 HR-TEM II 200,000/hr TEM imaging /EDS FC-PV10 Solar simulator 200,000/hr * Lamp calibration/ cooling 시간포함 220,000/시편(Si기판) 320,000/시편(Non Si) TEM cross section 320,000원/시편 TEM plan view 220,000/시편(Si기판) 320,000/시편(Non Si) TEM cross section 320,000원/시편 TEM plan view 100,000/시편 150,000/시편(특정영역) 200,000/시편 고난도전처리 100,000/시료 Surface analysis 200,000/시료 Depth profile 150,000/시료 ARXPS FE-PL10 Photoluminescence 80,000/hr FE-HA10 Hall effect Measurement System 90,000/hr FE-DP10 Electrochemical CV Profiler 90,000/hr FE-XD10 XRD 100,000/hr FE-SR10 Non-contact sheet resistance 50,000/hr FE-MC10 MOCVD (epi) I 190,000/hr 230,000/hr GaAs epi * 2" wafer 3장 로딩 FE-MC20 MOCVD (epi) II 220,000/hr 260,000/hr GaN epi * 2" wafer 11장 로딩 FE-MC30 MOCVD(epi) III 220,000/hr 260,000/hr GaAs epi * Loading/unloading 시간 포함 * 성장률 1um/hr 기준 * 재료비는 별도 FE-MC40 MOCVD(epi) IV 320,000/hr 360,000/hr GaAs epi * Loading/unloading 시간 포함 * 성장률 1um/hr 기준 * 재료비는 별도 FE-MC50 MOCVD(epi) V 300,000/hr 340,000/hr GaN epi * Loading/unloading 시간 포함 * 성장률 1um/hr 기준 * 재료비는 별도 FE-MC60 MOCVD(epi) Ⅵ 190,000/hr 230,000/hr GaAs epi FE-MC70 MOCVD(epi) VII 320,000/hr 360,000/hr GaN epi * III-N (신규설치중) 140,000/hr (Level 1) (Raw data only) 190,000/hr (LEVEL 1) Raw data only 170,000/hr (Level 2) (Level 1 + Thermal) 220,000/hr (LEVEL 2) LEVEL 1 + Thermal 200,000/hr (Level 3) (Level 1 + Calculated data) 240,000/hr (LEVEL 3) LEVEL 1 + Calculated data 230,000/hr (Level 4) (Level 3 + Thermal) 270,000/hr (LEVEL 4) LEVEL 3 + Thermal 300,000/hr Milling & View * EBSD 분석비용 추가(100,000/hr) 400,000/ea TEM sample prep. (Cross section) * 시편제작 깊이에 따른 추가비용 발생( 표준 5 um) 500,000/ea TEM sample prep. (미세패턴) * 시편제작 깊이에 따른 추가비용 발생( 표준 5 um) 500,000/ea TEM sample prep. (Plan view, invert) * 시편제작 깊이에 따른 추가비용 발생( 표준 5 um) 220,000/회 * 로딩: 8" 이하 wafer, 10nm 증착 기준, * 비용: 10nm 이상 시 xN배 290,000/회 * 로딩: 12" 이하 wafer, 10nm 증착 기준, * 비용: 10nm 이상 시 xN배 220,000/회 * 로딩: 8" 이하 wafer, 10nm 증착 기준, * 비용: 10nm 이상 시 xN배 290,000/회 * 로딩: 12" 이하 wafer, 10nm 증착 기준, * 비용: 10nm 이상 시 xN배 Damascene TSV FS-LP10 RF Power Measurement System 140,000/hr 200,000/hr Load-Pull Measurement * 150um pitch, GSG type 외의 Probe tip 사용 시 별도 협의 75,000/기본료+20,000/wf Sheet Resistant Measurement * 8" wafer 이하 * Wafer 한 장당 13points 측정(기준외 별도 협의) 100,000/기본료+20,000/wf Sheet Resistant Measurement * 12" wafer * Wafer 한 장당 13points 측정(기준외 별도 협의) Wet Cleaning Wet Etching 120,000/기본료+30,000/wf Type 1 6, 8 inch plane wafer 150,000/기본료+50,000/wf Type 2 6, 8 inch pattern wafer 120,000/기본료+50,000/wf Type 3 4, 12 inch plane wafer FS-BC10 Wafer Backside Cleaner 120,000/기본료 + 40,000/wf Cleaning * DHF(1:100), SC1, SC2 * 동일박막(SiO2, Si3N4, TiN 등) 웨이퍼 13-points/장 측정 기준 * 기타 박막(PR, Metal 등) 협의 필요 * 동일 공정 조건 wafer의 경우 적용(동일 pattern) * 공정 조건/wafer 상이 시 별도 시간 적용 Epi. SEM cross section MultiPrep FC-MO20 110GHz modeling sys. 110GHz 까지 S-parameter 측 정 *UPS 분석 동일,원소 추가시 추가비용 별도 협의 특성 평가 FC-MO10 FC-XP10 XPS FS-AL10 FS-AL20 FS-SR10 FS-EP10 FS-WS10 8 inch Wafer Automatic Sheet Resistance Measurement System Atomic Layer Deposition - Metals Tin, TaN Al203, Hf02, Zr02, Ta205 120,000/기본료 + 100,000/LOT Auto Wet Station FS-EM10 FC-PI10 FC-MP10 PIPS II PIPS I * Probe station II 사용료 포함 * Probe station I 사용료 포함 Probe station III (DC) DC & CV 특성 측정 (Parameter analyzer 포함)) * W Probe Tip은 제공, 기타 고가 tip은 이용자가 준비. 단, 센터 준비 요청시 협 의 67GHz modeling sys. 67GHz 까지 S-parameter 측 정 Si BEOL FS-DC10 DC measurement system for high power devices FC-PS30 Automatic Elipsometer * DHF(1:100), DHCI(1:10) 재료비 포함 * 1Lot main 공정 30분 이내 * 기타 공정 조건 및 Chemical 사용 시 별도 협의 300,000/hr Cu Plating Machine for Damascene FC-PI20 전력용 반도체 소자 DC & CV 특성 측정 (Parameter analyzer 포함) * W Probe Tip은 제공, 기타 고가 tip은 이용자가 준비. 단, 센터 준비 요청시 협 의 FIB Ⅲ (model : Helios 5 UX, Thermofisher) FS-FI10 Atomic Layer Deposition - Insulators 직접사용 기술원 의뢰 지원 라인 코드명 장비명 서비스이용료 공정 내용 비고 FS-RT10 Rapid Thermal Process System 100,000/기본료 + 60,000/wf Rapid Thermal Annealing * 4" wafer Semi-auto * 6", 8" wafer Full-auto FS-WP10 W / plasma CVD 120,000/기본료 + 90,000/wf - SiNx, SiON, - TEOS(-FSG), ACL, W * 1um 이하 기준 * 1um 이상 시 70,000원/1.0um 추가 FS-SP10 Endura sputter 120,000/기본료 + 60,000/wf Ti, TiN, Cu, Ta(N), Pre-Clean * 8" wafer 기준 * 재료비 별도(기준: 8" wafer) . IMP Ti: 2,000원/100nm · MOCVD TiN: 5,000원/10nm · Cu : 10,000원/50nm · Ta(N) : 10,000원/10nm FS-SP20 Evatec sputter 120,000/기본료 + 60,000/wf - Ti, TiN, Al:Cu(0.5%), Cu, ICP Soft Etch * 8" wafer 기준 * 재료비 별도(기준: 8“ wafer) · PVD Ti: 2,000원/100nm · PVD TiN: 2,000원/100nm · AL : 2,000원/500nm · Cu : 10,000원/50nm FS-PM10 Auto Precision Grinding and Polishing System 180,000/wf 4,6 inch wafer 기준 * 100um 이내 기준 * 100,000원/100um 추가(100um 초과 시) * Grinding/polishing 모두 포함 FS-OL10 Overlay Metrology System 180,000/hr 오버레이 측정 * 별도 Job 작성 또는 측정조건 변경 시 100,000원/Job * 표준 Job 측정기준(9 field, 4 point/field * 측정 Job 시간 변경 시 별도시간 적용 FS-CM10 W / Oxide CMP 170,000/wf W CMP , Oxide CMP * Dummy Wafer 진행 시 170,000원/장 부과 * 소모성 재료비 별도 FS-CM20 Cu CMP 170,000/wf Cu CMP , Barrier Metal CMP * Dummy Wafer 진행 시 170,000원/장 부과 * 소모성 재료비 별도 370,000/wf Adhesive Bonding * 4" wafer, 1시간 기준 250,000/wf Debonding * 4" wafer 170,000/wf Alignment * 8" wafer 170,000/wf Thermo-Comp. Bonding * 8" wafer, 1시간 기준 370,000/wf High vaccum Eutectic Bonding FS-NP10 RF Noise Parameter Measurement 140,000/hr 200,000/hr RF Noise Parameter Measurement * 직접사용 시 Probe tip과 Cal kit은 사용자가 준비 * Package Chip 측정 시 별도 협의 120,000/기본료+170,000/wf 절연막 식각 * Etch Depth 1um 이하 기준 * 초과시 80,000원/1um 부과 * 공정조건 변경 시 공정비용 (170,000원/wf) 추가 부과 25,000/기본료+25,000/wf PR Ashing * 공정시간 5분 이하 기준 * 초과시 10,000원/분 부과 120,000/기본료+170,000/wf 절연막 식각 * Etch Depth 1um 이하 기준 * 초과 시 80,000원/um 재료비 부과 * 공정조건 변경 시 공정비용 (170,000원/wf) 추가 부과 * BARC 식각시 20,000/wf 재료비 부과 120,000/기본료+170,000/wf 실리콘 식각 * Etch Depth 1um 이하 기준 * 초과 시 80,000원/um 부과 * 공정조건 변경 시 공정비용 (170,000원/wf) 추가 부과 * Deep RIE 공정 시 식각 깊이 50um이상인 경우 10,000원/10um 재료비 부과 25,000/기본료+25,000/wf PR Ashing * 공정시간 5분 이하 기준 * 초과시 10,000원/분 부과 120,000/기본료+160,000/wf SiC Via Etch 등 * Via 깊이 50um 기준 * 초과 시 60,000원/10um 추가 120,000/기본료+110,000/wf GaN Etch 등 * Depth 1um 기준 * 초과 시 50,000원/1um 추가 FS-WS20 Acid / Organic wet station 120,000/기본료 + 100,000/LOT Cleaning Etching PR strip * 재료비 별도 * 1Lot main 공정 30분 이내 * 30분 초과 시 100,000원/30분 부과 * 기타 공정 조건 및 Chemical 사용 시 별도 협의 FS-PE10 HDP-CVD 120,000/기본료+80,000/wf -HDP(USG,FSG) -CVD(SIO2, SiNx) * 1um 이하 기준 FS-FR10 Furnace 380,000/Run annealing * 5시간 기준으로 초과 시 60,000원/시간 추가 * 최대 wafer 50장 FS-PC10 Wafer Defect Inspection 60,000/30분 결함 측정 * 추가 Job 작성 시간은 장비 사용 시간에 포함 FS-SM10 Defect-Review SEM 260,000/hr 결함측정분석 * 추가 Job 작성 시간은 장비 사용 시간에 포함됨 XRF 70,000/30분 금속 박막 두께 측정 3D Laser Microscope 60,000/30분 형상 측정 등 FQ-ST10 I-line stepper II(양자팹) 300,000/기본료 + 60,000/wf 패터닝 * 3,4 inch 0.45um 이상 FQ-IE10 ICP etcher I(양자팹) 100,000/기본료+150,000/wf Superconducting/ Metal nitride etch 등 FQ-IE20 ICP etcher II(양자팹) 100,000/기본료+150,000/wf 다이아몬드 및 산화규소, 나이트라이드 등 절연체 식각 FQ-EB10 [Quantum] E-beam lithography I 500,000/hr + 60,000/wf 12nm 이상의 패터닝 공정 *Resist 재료비 별도 기업 400,000원 국, 공립 연구소 300,000원 대학 200,000원 기업 100,000원 국, 공립 연구소 75,000원 대학 50,000원 1 회 기업, 대학, 국공립 연구소 30,000원 KOLAS 인증서 일반인증서 * 기본장비의 경우(WET 장비 제외) 팹 출입료에 장비시용료 포함 * 상기 장비를 이용한 공정서비스를 위한 기본상담 외 추가상담 및 컨설팅 진행 시 60,000원/hr 부과될 수 있음 양자 * 부가세 부과 팹 출입료 6 개월 1 개월 시험 성적서 Metal Etcher FS-IE10 Insulator / Si Etcher FS-IE20 발급 가능 발급 가능 FS-IE30 SiC Etcher FS-XD10 Si BEOL FS-WB10 Wafer Bonding System

화성산업진흥원에서는 반도체 장비 확보가 어려운 관내 반도체 소ㆍ부ㆍ장 중소ㆍ중견기업을 대상으로 한국나노기술원 연계 반도체 실증(장비사용료) 지원사업을 시행하오니 관내 기업의 많은 관심과 지원 바랍니다.☞ 화성시 관내 반도체 소ㆍ부ㆍ장 중소ㆍ중견기업☞ 반도체 장비 확보가 어려운 관내 소부장기업에 성능평가, 검증 등에 소요되는 장비 사용료 지원 (20개사, 기업당 최대 9,000천원 지원)※ 한국나노기술원 장비 활용 必